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液态门控双层硅纳米线 FET:控制单陷阱动态过程的证据。

Liquid-Gated Two-Layer Silicon Nanowire FETs: Evidence of Controlling Single-Trap Dynamic Processes.

机构信息

Bioelectronics (ICS-8) , Forschungszentrum Jülich , 52428 Jülich , Germany.

Faculty of Radiophysics, Electronics and Computer Systems , Taras Shevchenko National University of Kyiv , 03127 Kyiv , Ukraine.

出版信息

Nano Lett. 2018 Nov 14;18(11):7305-7313. doi: 10.1021/acs.nanolett.8b03508. Epub 2018 Oct 26.

DOI:10.1021/acs.nanolett.8b03508
PMID:30346789
Abstract

We fabricate two-layer (TL) silicon nanowires (NW) field-effect transistors (FETs) with a liquid gate. The NW devices show advanced characteristics, which reflect reliable single-electron phenomena. A strong modulation effect of channel conductivity with effectively tuned parameters is revealed. The effect opens up prospects for applications in several research fields including bioelectronics and sensing applications. Our results shed light on the nature of single trap dynamics which parameters can be fine-tuned to enhance the sensitivity of liquid-gated TL silicon nanowire FETs.

摘要

我们采用液体栅极制造了具有两层(TL)的硅纳米线(NW)场效应晶体管(FET)。NW 器件表现出先进的特性,反映出可靠的单电子现象。通道电导率的有效调节参数显示出强烈的调制效果。该效应为包括生物电子学和传感应用在内的多个研究领域的应用开辟了前景。我们的结果揭示了单陷动态的本质,其参数可以进行微调,以提高液体栅 TL 硅纳米线 FET 的灵敏度。

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引用本文的文献

1
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Sci Rep. 2020 Jul 29;10(1):12678. doi: 10.1038/s41598-020-69493-y.