Suppr超能文献

用于内存计算的相变存储器

Phase-Change Memory for In-Memory Computing.

作者信息

Syed Ghazi Sarwat, Le Gallo Manuel, Sebastian Abu

机构信息

IBM Research-Europe, Säumerstrasse 4, 8803 Rüschlikon, Switzerland.

出版信息

Chem Rev. 2025 Jun 11;125(11):5163-5194. doi: 10.1021/acs.chemrev.4c00670. Epub 2025 May 22.

Abstract

In-memory computing (IMC) is an emerging computational approach that addresses the processor-memory divide in modern computing systems. The core concept is to leverage the physics of memory devices and their array-level organization to perform computations directly within the memory array. Phase-change memory (PCM) is a leading memory technology being explored for IMC. In this perspective, we review the current state of phase-change materials, PCM device physics, and the design and fabrication of PCM-based IMC chips. We also provide an overview of the application landscape and offer insights into future developments.

摘要

内存计算(IMC)是一种新兴的计算方法,旨在解决现代计算系统中处理器与内存之间的差距。其核心概念是利用存储设备的物理特性及其阵列级组织,直接在内存阵列中执行计算。相变内存(PCM)是一种正在为内存计算而探索的领先存储技术。从这个角度出发,我们回顾了相变材料的当前状态、PCM设备物理以及基于PCM的内存计算芯片的设计与制造。我们还概述了应用前景,并对未来发展提供见解。

https://cdn.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/blobs/16af/12164277/5c97e0c2da88/cr4c00670_0001.jpg

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