• 文献检索
  • 文档翻译
  • 深度研究
  • 学术资讯
  • Suppr Zotero 插件Zotero 插件
  • 邀请有礼
  • 套餐&价格
  • 历史记录
应用&插件
Suppr Zotero 插件Zotero 插件浏览器插件Mac 客户端Windows 客户端微信小程序
定价
高级版会员购买积分包购买API积分包
服务
文献检索文档翻译深度研究API 文档MCP 服务
关于我们
关于 Suppr公司介绍联系我们用户协议隐私条款
关注我们

Suppr 超能文献

核心技术专利：CN118964589B侵权必究
粤ICP备2023148730 号-1Suppr @ 2026

文献检索

告别复杂PubMed语法，用中文像聊天一样搜索，搜遍4000万医学文献。AI智能推荐，让科研检索更轻松。

立即免费搜索

文件翻译

保留排版，准确专业，支持PDF/Word/PPT等文件格式，支持 12+语言互译。

免费翻译文档

深度研究

AI帮你快速写综述，25分钟生成高质量综述，智能提取关键信息，辅助科研写作。

立即免费体验

Origin of reflection high-energy electron-diffraction intensity oscillations during molecular-beam epitaxy: A computational modeling approach.

作者信息

Clarke S, Vvedensky DD

出版信息

Phys Rev Lett. 1987 May 25;58(21):2235-2238. doi: 10.1103/PhysRevLett.58.2235.

DOI:10.1103/PhysRevLett.58.2235
PMID:10034688
Abstract
摘要

相似文献

1
Origin of reflection high-energy electron-diffraction intensity oscillations during molecular-beam epitaxy: A computational modeling approach.分子束外延过程中反射高能电子衍射强度振荡的起源：一种计算建模方法。
Phys Rev Lett. 1987 May 25;58(21):2235-2238. doi: 10.1103/PhysRevLett.58.2235.
2
Real time observation of reflectance anisotropy and reflection high-energy electron diffraction intensity oscillations during gas-source molecular-beam-epitaxy growth of Si and SiGe on Si(001).
Phys Rev Lett. 1995 Apr 17;74(16):3213-3216. doi: 10.1103/PhysRevLett.74.3213.
3
Mechanism of reflection high-energy electron-diffraction intensity oscillations during molecular-beam epitaxy on a Si(001) surface.硅（001）表面分子束外延过程中反射高能电子衍射强度振荡的机制
Phys Rev B Condens Matter. 1995 Oct 15;52(15):10748-10751. doi: 10.1103/physrevb.52.10748.
4
Phase of reflection high-energy electron-diffraction intensity oscillations during molecular-beam-epitaxy growth of GaAs(100).砷化镓（100）分子束外延生长过程中反射高能电子衍射强度振荡的阶段。
Phys Rev B Condens Matter. 1989 Dec 15;40(17):11799-11803. doi: 10.1103/physrevb.40.11799.
5
Theoretical analysis of reflection high-energy electron diffraction (RHEED) and reflection high-energy positron diffraction (RHEPD) intensity oscillations expected for the perfect layer-by-layer growth.
Acta Crystallogr A Found Adv. 2015 Sep;71(Pt 5):513-8. doi: 10.1107/S2053273315010608. Epub 2015 Jul 9.
6
Surface and interface studies of GaN epitaxy on Si(111) via buffer layers.通过缓冲层在Si(111)上进行GaN外延的表面和界面研究。
Phys Rev Lett. 2005 Dec 31;95(26):266105. doi: 10.1103/PhysRevLett.95.266105. Epub 2005 Dec 28.
7
Facility for low-temperature spin-polarized-scanning tunneling microscopy studies of magnetic/spintronic materials prepared in situ by nitride molecular beam epitaxy.用于通过氮化物分子束外延原位制备的磁性/自旋电子材料的低温自旋极化扫描隧道显微镜研究的设备。
Rev Sci Instrum. 2014 Apr;85(4):043702. doi: 10.1063/1.4870276.
8
Big-data reflection high energy electron diffraction analysis for understanding epitaxial film growth processes.大数据反射高能电子衍射分析用于理解外延膜生长过程。
ACS Nano. 2014 Oct 28;8(10):10899-908. doi: 10.1021/nn504730n. Epub 2014 Oct 6.
9
Reflectance anisotropy spectroscopy and reflection high-energy electron diffraction of submonolayer coverages of Si grown on GaAs(001) by molecular-beam epitaxy.通过分子束外延在 GaAs(001) 上生长的亚单层硅覆盖层的反射率各向异性光谱和反射高能电子衍射
Phys Rev B Condens Matter. 1995 Feb 15;51(7):4691-4694. doi: 10.1103/physrevb.51.4691.
10
A portable molecular beam epitaxy system for in situ x-ray investigations at synchrotron beamlines.一种用于同步加速器光束线原位X射线研究的便携式分子束外延系统。
Rev Sci Instrum. 2012 Oct;83(10):105112. doi: 10.1063/1.4759495.

引用本文的文献

1
Modeling of Masked Droplet Deposition for Site-Controlled Ga Droplets.用于位点控制的镓液滴的掩膜液滴沉积建模
Nanomaterials (Basel). 2023 Jan 23;13(3):466. doi: 10.3390/nano13030466.
2
Modeling of Al and Ga Droplet Nucleation during Droplet Epitaxy or Droplet Etching.液滴外延或液滴蚀刻过程中铝和镓液滴成核的建模。
Nanomaterials (Basel). 2021 Feb 12;11(2):468. doi: 10.3390/nano11020468.
3
Chemically specific termination control of oxide interfaces via layer-by-layer mean inner potential engineering.通过逐层平均内电势工程实现氧化物界面的化学特异性终止控制。
Nat Commun. 2018 Jul 27;9(1):2965. doi: 10.1038/s41467-018-04903-4.
4
A qualitatively validated mathematical-computational model of the immune response to the yellow fever vaccine.一种经质量验证的黄热病疫苗免疫反应的数学计算模型。
BMC Immunol. 2018 May 25;19(1):15. doi: 10.1186/s12865-018-0252-1.
5
Surface Stability and Growth Kinetics of Compound Semiconductors: An -Based Approach.化合物半导体的表面稳定性与生长动力学：基于 - 的方法。 （原文中“An -Based Approach”表述不完整，可能有信息缺失，但按照要求完整翻译了现有内容）
Materials (Basel). 2013 Aug 6;6(8):3309-3360. doi: 10.3390/ma6083309.
6
Mathematical modeling based on ordinary differential equations: A promising approach to vaccinology.基于常微分方程的数学建模：疫苗学的一种有前景的方法。
Hum Vaccin Immunother. 2017 Feb;13(2):484-489. doi: 10.1080/21645515.2017.1264774. Epub 2016 Dec 27.
7
Role of Arsenic During Aluminum Droplet Etching of Nanoholes in AlGaAs.砷在AlGaAs中纳米孔铝滴蚀刻过程中的作用
Nanoscale Res Lett. 2016 Dec;11(1):428. doi: 10.1186/s11671-016-1648-6. Epub 2016 Sep 26.