• 文献检索
  • 文档翻译
  • 深度研究
  • 学术资讯
  • Suppr Zotero 插件Zotero 插件
  • 邀请有礼
  • 套餐&价格
  • 历史记录
应用&插件
Suppr Zotero 插件Zotero 插件浏览器插件Mac 客户端Windows 客户端微信小程序
定价
高级版会员购买积分包购买API积分包
服务
文献检索文档翻译深度研究API 文档MCP 服务
关于我们
关于 Suppr公司介绍联系我们用户协议隐私条款
关注我们

Suppr 超能文献

核心技术专利：CN118964589B侵权必究
粤ICP备2023148730 号-1Suppr @ 2026

文献检索

告别复杂PubMed语法，用中文像聊天一样搜索，搜遍4000万医学文献。AI智能推荐，让科研检索更轻松。

立即免费搜索

文件翻译

保留排版，准确专业，支持PDF/Word/PPT等文件格式，支持 12+语言互译。

免费翻译文档

深度研究

AI帮你快速写综述，25分钟生成高质量综述，智能提取关键信息，辅助科研写作。

立即免费体验

High-quality InAs/InSb nanowire heterostructures grown by metal-organic vapor-phase epitaxy.

作者信息

Caroff Philippe, Wagner Jakob B, Dick Kimberly A, Nilsson Henrik A, Jeppsson Mattias, Deppert Knut, Samuelson Lars, Wallenberg L Reine, Wernersson Lars-Erik

机构信息

Solid State Physics/The Nanometer Structure Consortium, Lund University, Box 118 SE-22100 Lund, Sweden.

出版信息

Small. 2008 Jul;4(7):878-82. doi: 10.1002/smll.200700892.

DOI:10.1002/smll.200700892
PMID:18576282
Abstract
摘要

相似文献

1
High-quality InAs/InSb nanowire heterostructures grown by metal-organic vapor-phase epitaxy.通过金属有机气相外延生长的高质量砷化铟/锑化铟纳米线异质结构。
Small. 2008 Jul;4(7):878-82. doi: 10.1002/smll.200700892.
2
The electrical and structural properties of n-type InAs nanowires grown from metal-organic precursors.基于金属有机前驱物生长的 n 型 InAs 纳米线的电学和结构性能。
Nanotechnology. 2010 May 21;21(20):205703. doi: 10.1088/0957-4484/21/20/205703. Epub 2010 Apr 23.
3
InAs nanowires grown by metal-organic vapor-phase epitaxy (MOVPE) employing PS/PMMA diblock copolymer nanopatterning.采用 PS/PMMA 嵌段共聚物纳米图案化的金属有机气相外延 (MOVPE) 生长的 InAs 纳米线。
Nano Lett. 2013;13(12):5979-84. doi: 10.1021/nl403163x. Epub 2013 Dec 2.
4
Modeling of InAs-InSb nanowires grown by Au-assisted chemical beam epitaxy.金辅助化学束外延法生长的 InAs-InSb 纳米线建模。
Nanotechnology. 2012 Mar 9;23(9):095602. doi: 10.1088/0957-4484/23/9/095602. Epub 2012 Feb 10.
5
Friction measurements of InAs nanowires on silicon nitride by AFM manipulation.通过原子力显微镜操作对氮化硅上的砷化铟纳米线进行摩擦测量。
Small. 2009 Feb;5(2):203-7. doi: 10.1002/smll.200800794.
6
Growth of vertical InAs nanowires on heterostructured substrates.异质结构衬底上垂直InAs纳米线的生长。
Nanotechnology. 2009 Jul 15;20(28):285303. doi: 10.1088/0957-4484/20/28/285303. Epub 2009 Jun 23.
7
UV light emitting transparent conducting tin-doped indium oxide (ITO) nanowires.紫外发光透明导电掺锡氧化铟（ITO）纳米线。
Nanotechnology. 2011 May 13;22(19):195706. doi: 10.1088/0957-4484/22/19/195706. Epub 2011 Mar 23.
8
Coexistence of vapor-liquid-solid and vapor-solid-solid growth modes in Pd-assisted InAs nanowires.钯辅助的 InAs 纳米线中存在汽-液-固和汽-固-固生长模式共存。
Small. 2010 Sep 6;6(17):1935-41. doi: 10.1002/smll.201000811.
9
Van der Waals epitaxial double heterostructure: InAs/single-layer graphene/InAs.范德瓦尔斯外延双异质结：InAs/单层石墨烯/InAs。
Adv Mater. 2013 Dec 17;25(47):6847-53. doi: 10.1002/adma.201302312. Epub 2013 Sep 25.
10
High electron mobility InAs nanowire field-effect transistors.高电子迁移率铟砷纳米线场效应晶体管。
Small. 2007 Feb;3(2):326-32. doi: 10.1002/smll.200600379.

引用本文的文献

1
Electronic Transport and Quantum Phenomena in Nanowires.纳米线中的电子输运与量子现象
Chem Rev. 2024 Mar 13;124(5):2419-2440. doi: 10.1021/acs.chemrev.3c00656. Epub 2024 Feb 23.
2
Microscopic Understanding of the Growth and Structural Evolution of Narrow Bandgap III-V Nanostructures.窄带隙III-V族纳米结构生长与结构演化的微观理解
Materials (Basel). 2022 Mar 4;15(5):1917. doi: 10.3390/ma15051917.
3
X-ray diffraction reveals the amount of strain and homogeneity of extremely bent single nanowires.X射线衍射揭示了极度弯曲的单根纳米线的应变程度和均匀性。
J Appl Crystallogr. 2020 Sep 23;53(Pt 5):1310-1320. doi: 10.1107/S1600576720011516. eCollection 2020 Oct 1.
4
Growth of Self-Catalyzed InAs/InSb Axial Heterostructured Nanowires: Experiment and Theory.自催化InAs/InSb轴向异质结构纳米线的生长：实验与理论
Nanomaterials (Basel). 2020 Mar 10;10(3):494. doi: 10.3390/nano10030494.
5
Indium-Arsenic Molecules with an In≡As Triple Bond: A Theoretical Approach.具有In≡As三键的铟 - 砷分子：一种理论方法
ACS Omega. 2017 Mar 27;2(3):1172-1179. doi: 10.1021/acsomega.7b00113. eCollection 2017 Mar 31.
6
Synthesis of Amorphous InSb Nanowires and a Study of the Effects of Laser Radiation and Thermal Annealing on Nanowire Crystallinity.非晶态InSb纳米线的合成以及激光辐射和热退火对纳米线结晶度影响的研究。
Nanomaterials (Basel). 2018 Aug 9;8(8):607. doi: 10.3390/nano8080607.
7
Growth of High Material Quality Group III-Antimonide Semiconductor Nanowires by a Naturally Cooling Process.通过自然冷却过程生长高质量Ⅲ-锑化物半导体纳米线
Nanoscale Res Lett. 2016 Dec;11(1):222. doi: 10.1186/s11671-016-1443-4. Epub 2016 Apr 26.
8
Coherent Charge Transport in Ballistic InSb Nanowire Josephson Junctions.弹道式InSb纳米线约瑟夫森结中的相干电荷输运
Sci Rep. 2016 Apr 22;6:24822. doi: 10.1038/srep24822.
9
Indium Antimonide Nanowires: Synthesis and Properties.锑化铟纳米线：合成与性质
Nanoscale Res Lett. 2016 Dec;11(1):164. doi: 10.1186/s11671-016-1370-4. Epub 2016 Mar 24.
10
Parity independence of the zero-bias conductance peak in a nanowire based topological superconductor-quantum dot hybrid device.基于纳米线的拓扑超导体-量子点混合器件中零偏置电导峰的奇偶独立性
Sci Rep. 2014 Dec 1;4:7261. doi: 10.1038/srep07261.