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由于垂直于平面的自旋电流导致的高畴壁速度。

High Domain Wall Velocities due to Spin Currents Perpendicular to the Plane.

作者信息

Khvalkovskiy A V, Zvezdin K A, Gorbunov Ya V, Cros V, Grollier J, Fert A, Zvezdin A K

机构信息

A. M. Prokhorov General Physics Institute of RAS, 119991 Moscow, Russia.

出版信息

Phys Rev Lett. 2009 Feb 13;102(6):067206. doi: 10.1103/PhysRevLett.102.067206.

DOI:10.1103/PhysRevLett.102.067206
PMID:19257631
Abstract

We consider long and narrow spin valves composed of a first magnetic layer with a single domain wall (DW), a normal metal spacer, and a second magnetic layer that is a planar or a perpendicular polarizer. For these structures, we study numerically DW dynamics taking into account the spin torques due to the perpendicular spin currents. We obtain high DW velocities: 5 m/s for planar polarizer and 80 m/s for perpendicular polarizer for I=0.01 mA. These values are much larger than those predicted and observed for DW motion due to the in-plane spin currents. The ratio of the magnitudes of the torques, which generate the DW motion in the respective cases, is responsible for these large differences.

摘要

我们考虑由具有单畴壁(DW)的第一磁性层、普通金属间隔层和作为平面或垂直极化器的第二磁性层组成的狭长自旋阀。对于这些结构,我们在考虑垂直自旋电流引起的自旋扭矩的情况下,对畴壁动力学进行了数值研究。我们获得了较高的畴壁速度:对于平面极化器,当电流(I = 0.01) mA时为(5) m/s;对于垂直极化器为(80) m/s。这些值远大于由面内自旋电流引起的畴壁运动所预测和观察到的值。在各自情况下产生畴壁运动的扭矩大小之比导致了这些巨大差异。

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