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对硅光电二极管进行的数十年线性度测量。

Multidecade linearity measurements on Si photodiodes.

作者信息

Budde W

出版信息

Appl Opt. 1979 May 15;18(10):1555-8. doi: 10.1364/AO.18.001555.

DOI:10.1364/AO.18.001555
PMID:20212893
Abstract

It is often claimed that silicon photodiodes are linear over many decades, but very little evidence on the experimental verification can be found in the literature. Therefore, an effort was made to investigate the linearity of Si photodiodes over as many decades as possible. Optically, the experiments are based on a cascaded use of the linearity tester described by Sanders, which utilizes the double-aperture method. The electronics include an operational amplifier, a voltage-to-frequency converter, and a counter. Details of the optical and electronic instrumentation will be presented. The measurements are extended to cover a range of about 9 decades, from 10 mA to about 10 pA. Measurements were made on Si photodiodes from various manufacturers, and the results are given.

摘要

人们常常声称硅光电二极管在多个数量级上具有线性,但在文献中很难找到关于实验验证的证据。因此,我们努力研究硅光电二极管在尽可能多的数量级上的线性度。在光学方面,实验基于桑德斯描述的线性度测试仪的级联使用,该测试仪采用双孔径法。电子设备包括一个运算放大器、一个电压 - 频率转换器和一个计数器。将介绍光学和电子仪器的详细信息。测量范围扩展到约9个数量级,从10 mA到约10 pA。对来自不同制造商的硅光电二极管进行了测量,并给出了结果。

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引用本文的文献

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