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具有面内电流的少层石墨烯堆叠中的大磁电阻。

Large magnetoresistance in few layer graphene stacks with current perpendicular to plane geometry.

机构信息

State Key Laboratory for Mesoscopic Physics, Department of Physics, Peking University, Beijing, P.R. China.

出版信息

Adv Mater. 2012 Apr 10;24(14):1862-6. doi: 10.1002/adma.201104796. Epub 2012 Mar 7.

DOI:10.1002/adma.201104796
PMID:22407473
Abstract

A large magnetoresistance (MR) effect of few-layers graphene between two non-magnetic metal electrodes with current perpendicular to graphene plane is studied. A non-saturation and anisotropic MR with the value over 60% at 14 T is observed in a two-layer graphene stack at room temperature. The resistance of the device is only tens of ohms, having the advantage of low power consumption for magnetic device applications.

摘要

研究了电流垂直于石墨烯平面的两个非磁性金属电极之间的少层石墨烯的大磁电阻(MR)效应。在室温下,双层石墨烯叠层中观察到非饱和和各向异性的 MR,其值超过 14 T 时为 60%。该器件的电阻仅几十欧姆,对于磁器件应用具有低功耗的优势。

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