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由三端磁隧道结器件中的自旋霍尔效应驱动的磁振荡。

Magnetic oscillations driven by the spin Hall effect in 3-terminal magnetic tunnel junction devices.

机构信息

Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA.

出版信息

Phys Rev Lett. 2012 Nov 2;109(18):186602. doi: 10.1103/PhysRevLett.109.186602. Epub 2012 Oct 31.

DOI:10.1103/PhysRevLett.109.186602
PMID:23215306
Abstract

We show that a direct current in a tantalum microstrip can induce steady-state magnetic oscillations in an adjacent nanomagnet through spin torque from the spin Hall effect (SHE). The oscillations are detected electrically via a magnetic tunnel junction (MTJ) contacting the nanomagnet. The oscillation frequency can be controlled using the MTJ bias to tune the magnetic anisotropy. In this 3-terminal device, the SHE torque and the MTJ bias therefore provide independent controls of the oscillation amplitude and frequency, enabling new approaches for developing tunable spin torque nano-oscillators.

摘要

我们证明,通过自旋霍尔效应(SHE)的自旋扭矩,钽微带中的直流电可以在相邻的纳米磁体中诱导出稳态的磁场振荡。通过与纳米磁体接触的磁性隧道结(MTJ),可以通过电检测到这些振荡。通过调节 MTJ 的偏置来控制磁各向异性,可以控制振荡频率。在这个三端器件中,SHE 扭矩和 MTJ 偏置因此可以独立地控制振荡幅度和频率,为开发可调谐的自旋扭矩纳米振荡器提供了新的方法。

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