• 文献检索
  • 文档翻译
  • 深度研究
  • 学术资讯
  • Suppr Zotero 插件Zotero 插件
  • 邀请有礼
  • 套餐&价格
  • 历史记录
应用&插件
Suppr Zotero 插件Zotero 插件浏览器插件Mac 客户端Windows 客户端微信小程序
定价
高级版会员购买积分包购买API积分包
服务
文献检索文档翻译深度研究API 文档MCP 服务
关于我们
关于 Suppr公司介绍联系我们用户协议隐私条款
关注我们

Suppr 超能文献

核心技术专利:CN118964589B侵权必究
粤ICP备2023148730 号-1Suppr @ 2026

文献检索

告别复杂PubMed语法,用中文像聊天一样搜索,搜遍4000万医学文献。AI智能推荐,让科研检索更轻松。

立即免费搜索

文件翻译

保留排版,准确专业,支持PDF/Word/PPT等文件格式,支持 12+语言互译。

免费翻译文档

深度研究

AI帮你快速写综述,25分钟生成高质量综述,智能提取关键信息,辅助科研写作。

立即免费体验

采用平衡式铟镓砷/磷化铟单光子雪崩二极管实现的改进型正弦门控。

Improved sinusoidal gating with balanced InGaAs/InP Single Photon Avalanche Diodes.

作者信息

Lu Zhiwen, Sun Wenlu, Zhou Qiugui, Campbell Joe, Jiang Xudong, Itzler Mark A

机构信息

Electrical and Computer Engineering, University of Virginia, Charlottesville, VA 22904, USA.

出版信息

Opt Express. 2013 Jul 15;21(14):16716-21. doi: 10.1364/OE.21.016716.

DOI:10.1364/OE.21.016716
PMID:23938523
Abstract

We report balanced InGaAs/InP single photon avalanche diodes (SPADs) operated in sinusoidal gating mode with a tunable phase shifter to reduce common mode noise. This technique enables detection of small avalanche pulses, which results in reduced afterpulsing. For laser repletion rate of 20 MHz at 240 K, the dark count rate for photon detection efficiency of 10% is 8.9 kHz.

摘要

我们报告了采用可调相移器以正弦门控模式工作的平衡式铟镓砷/磷化铟单光子雪崩二极管(SPAD),以降低共模噪声。该技术能够检测到小的雪崩脉冲,从而减少了后脉冲。在240 K温度下,对于20 MHz的激光重复率,光子探测效率为10%时的暗计数率为8.9 kHz。

相似文献

1
Improved sinusoidal gating with balanced InGaAs/InP Single Photon Avalanche Diodes.采用平衡式铟镓砷/磷化铟单光子雪崩二极管实现的改进型正弦门控。
Opt Express. 2013 Jul 15;21(14):16716-21. doi: 10.1364/OE.21.016716.
2
Time-dependent photon number discrimination of InGaAs/InP avalanche photodiode single-photon detector.InGaAs/InP雪崩光电二极管单光子探测器的时间分辨光子数分辨
Appl Opt. 2011 Jan 1;50(1):61-5. doi: 10.1364/AO.50.000061.
3
InGaAs-InP avalanche photodiodes with dark current limited by generation-recombination.暗电流受产生-复合限制的铟镓砷-磷化铟雪崩光电二极管。
Opt Express. 2011 Apr 25;19(9):8546-56. doi: 10.1364/OE.19.008546.
4
1.5 GHz single-photon detection at telecommunication wavelengths using sinusoidally gated InGaAs/InP avalanche photodiode.使用正弦门控铟镓砷/磷化铟雪崩光电二极管在电信波长下进行1.5吉赫兹单光子探测。
Opt Express. 2009 Apr 13;17(8):6275-82. doi: 10.1364/oe.17.006275.
5
1550 nm InGaAs/InAlAs single photon avalanche diode at room temperature.室温下的1550纳米铟镓砷/铟铝砷单光子雪崩二极管。
Opt Express. 2014 Sep 22;22(19):22608-15. doi: 10.1364/OE.22.022608.
6
InGaAs PIN photodetectors integrated on silicon-on-insulator waveguides.集成在绝缘体上硅波导上的铟镓砷PIN光电探测器。
Opt Express. 2010 Jan 18;18(2):1756-61. doi: 10.1364/OE.18.001756.
7
Fully integrated InGaAs/InP single-photon detector module with gigahertz sine wave gating.具有千兆赫兹正弦波选通功能的全集成铟镓砷/磷化铟单光子探测器模块
Rev Sci Instrum. 2012 Aug;83(8):083111. doi: 10.1063/1.4746291.
8
GaInAsP/InP lateral-current-injection distributed feedback laser with a-Si surface grating.具有非晶硅表面光栅的GaInAsP/InP横向电流注入分布反馈激光器
Opt Express. 2011 Jan 31;19(3):1884-91. doi: 10.1364/OE.19.001884.
9
InGaAsP-based uni-travelling carrier photodiode structure grown by solid source molecular beam epitaxy.通过固态源分子束外延生长的基于铟镓砷磷的单载流子光电二极管结构。
Opt Express. 2012 Aug 13;20(17):19279-88. doi: 10.1364/OE.20.019279.
10
Cavity design and characteristics of monolithic long-wavelength InAs/InP quantum dash passively mode-locked lasers.
Opt Express. 2009 Oct 26;17(22):19739-48. doi: 10.1364/OE.17.019739.