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高速外延钙钛矿存储器在柔性衬底上。

High Speed Epitaxial Perovskite Memory on Flexible Substrates.

机构信息

Electrical Engineering & Computer Sciences, University of California, Berkeley, CA, 94720, USA.

Chemical and Biomolecular Engineering, University of California, Berkeley, CA, 94720, USA.

出版信息

Adv Mater. 2017 Mar;29(11). doi: 10.1002/adma.201605699. Epub 2017 Jan 23.

DOI:10.1002/adma.201605699
PMID:28112840
Abstract

Single-crystal perovskite ferroelectric material is integrated at room temperature on a flexible substrate by the layer transfer technique. Two terminal memory devices fabricated with these materials exhibit faster switching speed, lower operating voltage, and superior endurance than other existing flexible counterparts. The research provides an avenue toward combining the rich functionality of charge and spin states, offered by the general class of complex oxides, onto a flexible platform.

摘要

室温下,通过层转移技术将单晶钙钛矿铁电材料集成在柔性衬底上。用这些材料制备的两端存储器件具有比其他现有柔性器件更快的开关速度、更低的工作电压和更好的耐久性。该研究为将复杂氧化物这一通用类材料的电荷和自旋态的丰富功能组合到柔性平台上提供了一个途径。

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