Suppr超能文献

用于56 Gbps及更高速率光链路的-1 V偏置、67 GHz带宽、硅接触锗波导p-i-n光电探测器。

-1 V bias 67 GHz bandwidth Si-contacted germanium waveguide p-i-n photodetector for optical links at 56 Gbps and beyond.

作者信息

Chen H, Verheyen P, De Heyn P, Lepage G, De Coster J, Balakrishnan S, Absil P, Yao W, Shen L, Roelkens G, Van Campenhout J

出版信息

Opt Express. 2016 Mar 7;24(5):4622-4631. doi: 10.1364/OE.24.004622.

Abstract

We demonstrate a 67 GHz bandwidth silicon-contacted germanium waveguide p-i-n photodetector operating at -1 V with 6.8 fF capacitance. The dark current is below 4 nA. The responsivity is 0.74 A/W at 1550 nm and 0.93 A/W at 1310 nm wavelength. 56 Gbps on-off-keying data reception is demonstrated with clear open eye diagrams in both the C-band and O-band.

摘要

我们展示了一种67吉赫兹带宽的硅接触锗波导p-i-n光电探测器,其在-1伏电压下工作,电容为6.8飞法。暗电流低于4纳安。在1550纳米波长处的响应度为0.74安/瓦,在1310纳米波长处为0.93安/瓦。在C波段和O波段均通过清晰的张开眼图展示了56吉比特每秒的开关键控数据接收。

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