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In situ observation of voltage-induced multilevel resistive switching in solid electrolyte memory.

作者信息

Choi Sang-Jun, Park Gyeong-Su, Kim Ki-Hong, Cho Soohaeng, Yang Woo-Young, Li Xiang-Shu, Moon Jung-Hwan, Lee Kyung-Jin, Kim Kinam

机构信息

Samsung Electronics Co, Gyeonggi, Korea.

出版信息

Adv Mater. 2011 Aug 2;23(29):3272-7. doi: 10.1002/adma.201100507. Epub 2011 Jun 14.

DOI:10.1002/adma.201100507
PMID:21671452
Abstract
摘要

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